石墨烯透明导电膜有哪些工艺？

石墨烯透明导电膜有哪些工艺？

三星是全球首家CVD法石墨烯透明导电膜制造商（其它竞争者均是他的跟风者）。这种工艺路线需要在高温、高真空下生产。成品率很低、成本高、投资大、难以量产，目前无法真正替代ITO。

元石盛石墨烯薄膜产业有限公司是全球首家液相法石墨烯透明导电膜制造商，该方法在投资小数量级的前提下，产能远大于CVD法，效率至少高千倍，性能好于同类产品，生产成本却远低于竞争对手。是ITO替代的最佳工艺技术路线，拥有自主知识产权和完整的技术体系。我们已经连续跨过透明导电膜、卷对卷连续大规模生产等难关，，三星等竞争对手仍在第一道难关前徘徊。

石墨烯是一种新型的二维碳材料，在电学和光学上具有优异的性能。 采用的工艺包括:

①采用温和氧化剥离发，制作出大面积的氧化石墨烯。 用石墨作为材料，在温和氧化剥离的条件下，离心出大面积的氧化石墨烯。

②使用大面积的氧化石墨烯制作出优质的透明导电膜。

③将金属银纳米线和石墨烯混合，制作出复合导电膜。

氧化石墨烯可以通过真空抽滤发，旋涂法等等

不同于石墨烯的制备，石墨烯透明导电膜比较具体，所以现有方法并不是很多。而且目前的技术都很难量产出石墨烯透明导电膜，全世界都在攻克这个难题。现在使用在广泛的透明导电膜氧化铟锡（ITO）存在着诸多问题，而石墨烯透明导电膜是被公认的ITO替代产品，其战略意义重大，所以其制备工艺也成为了大家突破的重点。

1、化学气相沉积法（CVD法）

CVD法是最早三星发明的一种制备方法，国内外目前大都是效仿的这种工艺，也是目前使用最广泛，最成熟的方法。先将铜箔表面处理，然后放入设备，抽真空，高温加热到1200度，现在400-500度可以实现。放入气体碳源，或者是直接涂覆石墨烯等碳源，在铜箔表面会生长石墨烯。最后将铜箔腐蚀得到石墨烯，再把石墨烯转移到基底，得到了石墨烯透明导电膜。但是本方法也存在着诸多问题，比如设备的高温高真空条件苛刻，加上铜箔的腐蚀，让生产成本非常之高。加上无损转移石墨烯到基底上存在很多问题，这就导致了生产出的石墨烯透明导电膜成品率低，而且导电性降低，性能欠佳。

2、液相法

目前国外没有使用液相法制备石墨烯透明导电膜的企业，国内元石盛石墨烯公司首创的这种方法，也只有这个企业在用这种方法制备。生产工艺也被该公司掌握，所以怎么生产的我们也无从了解。但是我们从相关资料来看，所谓的液相法，采用的是卷对卷的生产方式，除去了腐蚀铜箔并转移这些步骤，肯定能将成本大大缩小，实现低成本生产。以及卷对卷的生产工艺可以使得生产效率相对CVD法有所提高。